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意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。工業(yè)級晶體管STL300N4F8...

意法半導(dǎo)體 STripFET F8 2024-12-04

意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管

2023 年 5 月 24 日，中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。&...

意法半導(dǎo)體 STripFET F8 2023-05-24

意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節(jié)能降噪特性

意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。新型 40V N 溝道增強(qiáng)型 M...

意法半導(dǎo)體 STripFET F8 2022-06-23

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STripFET F8

意法半導(dǎo)體推出采用強(qiáng)化版STripFET F8技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)閾壓40V MOSFET

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機(jī)器人專場

EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——智能工廠專場

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